[汽車之家 資訊]　　近日,，IBM在全球科技企業(yè)的制程大戰(zhàn)中，率先突破了3nm的極限,，成功推出了全球首款采用2nm工藝的芯片,。與目前的7納米制程相比，該技術(shù)預(yù)計(jì)可提升芯片45％的性能,，并降低75％的能耗,。

　　根據(jù)IBM的材料來看，這款2nm芯片每平方毫米可容納3.33億個(gè)晶體管,，而作為對(duì)比目前最先進(jìn)的臺(tái)積電5nm工藝每平方毫米最多才能容納1.713億個(gè)晶體管,，而三星5nm工藝每平方毫米最多只能容納1.27億個(gè)晶體管,。同時(shí)IBM也官宣了這款芯片的性能指標(biāo)，其中與當(dāng)前主流的7nm芯片相比,，這款芯片的性能預(yù)計(jì)提升45%,，能耗降低75%而與5nm芯片相比，2nm芯片的體積更小,，速度更快,。

●2nm芯片的潛在優(yōu)勢包括:

　　使手機(jī)電池壽命延長四倍，用戶只需每四天充電一次,。

　　削減數(shù)據(jù)中心碳足跡,，這些數(shù)據(jù)中心占全球能源使用量的百分之一。如果將所有服務(wù)器改為基于2nm的處理器,，可能會(huì)顯著降低這一比例,。

　　大大提高筆記本電腦的性能，包括更快的應(yīng)用程序處理,、更輕松的語言翻譯,，以及更快的互聯(lián)網(wǎng)接入。

　　加快自動(dòng)駕駛汽車的物體檢測速度,，縮短反應(yīng)時(shí)間,。

　　IBM在半導(dǎo)體領(lǐng)域的突破還包括首次實(shí)現(xiàn)7nm和5nm工藝技術(shù)、單管DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）,、Dennard標(biāo)度律,、化學(xué)放大光刻膠、銅互連布線,、絕緣硅片技術(shù),、多核微處理器、高K柵介質(zhì),、嵌入式DRAM,，以及3D芯片堆疊。IBM的首款商業(yè)化產(chǎn)品,，包括IBM Research 7 nm技術(shù)進(jìn)展,，將于今年晚些時(shí)候在基于IBM power10的IBM Power Systems中亮相。

　　增加每個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量,，可使其更小,、更快、更可靠,、效率更高,。在宣布具有里程碑意義的5nm芯片設(shè)計(jì)后，不到4年的時(shí)間，IBM又獲得了該項(xiàng)最新突破,，將使2nm芯片能夠在指甲大小的芯片上容納多達(dá)500億個(gè)晶體管,。

　　此外，芯片上的晶體管數(shù)量增加也意味著處理器設(shè)計(jì)師擁有更多的選擇權(quán),，以助力核心層面的創(chuàng)新,，提高AI和云計(jì)算等前沿工作負(fù)載的能力，以及找到硬件強(qiáng)制安全和加密的新途徑,。IBM已在其最新一代IBM硬件（如IBM POWER10和IBM z15）中實(shí)現(xiàn)了其他創(chuàng)新核心級(jí)增強(qiáng)功能,。（文/汽車之家 郭辰）

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