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比亞迪擬2023年電動車全面搭載SiC電控
章漣漪
原創(chuàng) · 0瀏覽·2018-12-11 11:06
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[汽車之家 行業(yè)] 12月10日,,比亞迪在浙江寧波發(fā)布了IGBT4.0技術(shù),。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”,,其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的“雙芯”,是影響電動車性能的關(guān)鍵技術(shù),,其成本占整車成本的5%左右。對于電動車而言,,IGBT直接控制驅(qū)動系統(tǒng)直,、交流電的轉(zhuǎn)換,決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等,。

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『第三代半導體材料SiC』

發(fā)布會現(xiàn)場,,比亞迪還釋放了另一消息:企業(yè)已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET(汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等),有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車,。預計到2023年,,比亞迪將在旗下的電動車中,實現(xiàn)SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代,,將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%,。

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『比亞迪SiC晶圓』

據(jù)悉,比亞迪已投入巨資布局第三代半導體材料SiC,,并將整合材料(高純碳化硅粉),、單晶、外延,、芯片,、封裝等SiC基半導體全產(chǎn)業(yè)鏈,致力于降低SiC器件的制造成本,,加快其在電動車領(lǐng)域的應用,。比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛表示:“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續(xù)迭代更新的新一代'殺手锏',我們期望在加速,、續(xù)航等性能指標上,,為廣大消費者帶來更多驚喜?!?/p>

作為中國電動車企代表之一,,比亞迪自2015年至2017年,,連續(xù)三年蟬聯(lián)全球新能源汽車銷量冠軍。今年前10月,,比亞迪已經(jīng)累計銷售16.3萬輛新能源乘用車,,距離20萬輛年銷量目標僅一步之遙。(文/汽車之家 章漣漪)

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